bc807 ... BC808 bc807 ... BC808 smd general purpose pnp transistors smd universal-pnp-transistoren i c = -800 ma h fe ~ 160 /250/400 t jmax = 150c v ces = -30 ...-50 v p tot = 310 mw version 2017-01-19 sot-23 (to-236) 1 = b 2 = e 3 = c dimensions - ma?e [mm] typical applications signal processing, switching, amplification commercial grade 1 ) typische anwendungen signalverarbeitung, schalten, verst?rken standardausfhrung 1 ) features general purpose three current gain groups compliant to rohs, reach, conflict minerals 1 ) besonderheiten universell anwendbar drei stromverst?rkungsklassen konform zu rohs, reach, konfliktmineralien 1 mechanical data 1 ) mechanische daten 1 ) taped and reeled 3000 / 7 gegurtet auf rolle weight approx. 0.01 g gewicht ca. case material ul 94v-0 geh?usematerial solder & assembly conditions 260c/10s l?t- und einbaubedingungen msl = 1 type code recommended complementary npn transistors empfohlene komplement?re npn-transistoren bc807-16 = 5a or 5cr bc807-25 = 5b or 5cs bc807-40 = 5c or 5ct BC808-16 = 5e or 5cr BC808-25 = 5f or 5cs BC808-40 = 5g or 5ct bc817, bc818 maximum ratings 2 ) grenzwerte 2 ) bc807 BC808 collector-emitter-volt. C kollektor-emitter-spannung e-b short - v ces 50 v 30 v collector-emitter-volt. C kollektor-emitter-spannung b open - v ceo 45 v 25 v emitter-base-voltage C emitter-basis-spannung c open - v ebo 5 v power dissipation C verlustleistung p tot 310 mw 3 ) collector current C kollektorstrom (dc) - i c 800 ma peak collector current C kollektor-spitzenstrom - i cm 1 a peak base current C basis-spitzenstrom - i bm 200 ma junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -55...+150c -55+150c 1 please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book bitte beachten sie die detaillierten hinweise auf unserer internetseite bzw. am anfang des datenbuches 2 t a = 25c, unless otherwise specified C t a = 25c, wenn nicht anders angegeben 3 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case gltig wenn die anschlussdr?hte in 2 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 pb e l v w e e e r o h s 2 . 4 1 . 3 0 . 1 1.1 +0.1 0.4 +0.1 2.9 0.1 1 2 3 type code 1.9 0.1 -0.05 -0.2 0 . 2
bc807 ... BC808 characteristics kennwerte t j = 25c min. typ. max. dc current gain C kollektor-basis-stromverh?ltnis 1 ) - v ce = 1 v, - i c = 100 ma group -16 group -25 group -40 h fe 100 160 250 C C C 250 400 630 - v ce = 1 v, - i c = 500 ma h fe 40 C C collector-emitter saturation voltage C kollektor-emitter-s?ttigungsspg. 2 ) - i c = 500 ma, - i b = 50 ma - v cesat C C 0.7 v base-emitter saturation voltage C basis-emitter-s?ttigungsspannung 2 ) - i c = 500 ma, - i b = 50 ma - v besat C C 1.3 v base-emitter-voltage C basis-emitter-spannung 2 ) - v ce = 1 v, - i c = 500 ma - v be C C 1.2 v collector-base cutoff current C kollektor-basis-reststrom - v cb = 20 v, (e open) - v cb = 20 v, t j = 125c, (e open) - i cb0 C C C C 100 na 5 a emitter-base cutoff current C emitter-basis-reststrom - v eb = 4 v, (c open) - i eb0 C C 100 na gain-bandwidth product C transitfrequenz - v ce = 5 v, - i c = 10 ma, f = 50 mhz f t C 100 mhz C collector-base capacitance C kollektor-basis-kapazit?t - v cb = 10 v, - i e =i e = 0, f = 1 mhz c cbo C 12 pf C thermal resistance junction to ambient w?rmewiderstand sperrschicht C umgebung r tha < 420 k/w 2 ) disclaimer: see data book page 2 or website haftungssauschluss: siehe datenbuch seite 2 oder internet 1 tested with pulses t p = 300 s, duty cycle 2% C gemessen mit impulsen t p = 300 s, schaltverh?ltnis 2% 2 mounted on p.c. board with 3 mm 2 copper pad at each terminal montage auf leiterplatte mit 3 mm 2 kupferbelag (l?tpad) an jedem anschluss 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag [%] p tot 120 100 80 60 40 20 0 [c] t a 150 100 50 0 power dissipation versus ambient temperature ) verlustleistung in abh. von d. umgebungstemp. ) 1 1
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